SẢN PHẨM > BÁN DẪN

Thông tin báo chí > Thông cáo báo chí

Samsung bắt đầu sản xuất thẻ nhớ siêu tốc 512 Gigabyte đầu tiên cho thiết bị di động thế hệ mới

on 05/12/2017
Chia sẻ

http://bit.ly/2BIxISP

Thiết lập hạn mức lưu trữ di động mới để xử lý dung lượng đa phương tiện ngày càng tăng

 

Samsung Electronics, công ty hàng đầu thế giới về công nghệ lưu trữ tiên tiến vừa thông báo về việc bắt đầu sản xuất hàng loạt giải pháp lưu trữ 512 GB theo tiêu chuẩn Universal Flash Storage (eUFS) đầu tiên trong ngành để dùng cho các thiết bị di động thế hệ mới. Được trang bị con chíp V-NAND 64 lớp 512Gb mới nhất của Samsung, chuẩn eUFS 512 GB mới cung cấp khả năng lưu trữ tuyệt vời và hiệu năng vượt trội cho các thiết bị điện thoại thông minh và máy tính bảng hàng đầu sẽ ra mắt sắp tới.

 

“Chuẩn eUFS 512GB mới của Samsung cung cấp giải pháp lưu trữ tốt nhất dành cho thiết bị điện thoại thông minh cao cấp thế hệ mới thông qua việc khắc phục những hạn chế tiềm ẩn trong hiệu năng hệ thống có thể xảy ra khi sử dụng thẻ nhớ microSD”, Jaesoo Han, phó giám đốc điều hành bộ phận bán hàng và tiếp thị giải pháp lưu trữ của Samsung cho biết. “Với việc đảm bảo nguồn cung sớm cho giải pháp lưu trữ tiên tiến này, Samsung đã có bước tiến lớn khi giúp cho các công ty sản xuất điện thoại di động có thể ra mắt các thiết bị di động thế hệ mới đúng thời điểm.”

 

Có bao gồm tám con chíp V-NAND 64 lớp 512Gb và một chip điều khiển được gộp lại, chuẩn 512GB UFS mới của Samsung tuy có mật độ gấp đôi so với eUFS 256gb dùng V-NAND 48 lớp nhưng kích thước cũng như vậy. Khả năng lưu trữ của eUFS sẽ giúp trải nghiệm di động thêm phần phong phú. Ví dụ: chuẩn eUFS mới cho phép điện thoại thông minh lưu trữ được khoảng 130 đoạn phim ngắn với định dạng 4K Ultra HD (3840 × 2160) có thời lượng 10 phút *, gấp 10 lần so với eUFS 64GB với chỉ khoảng 13 đoạn phim kích cỡ tương tự.

 

 

Để tối đa năng suất và hiệu suất năng lượng của chuẩn eUFS 512GB, Samsung đã triển khai một loạt công nghệ độc quyền mới. Thiết kế tiên tiến cho bo mạch V-NAND 64 lớp 512Gb và công nghệ quản lý năng lượng trong bộ điều khiển eUFS 512GB sẽ giảm thiểu tiêu hao năng lượng, đáng chú ý là vì chuẩn eUFS 512GB mới có chứa gấp đôi số lượng lõi pin so với 256GB eUFS. Ngoài ra, chip điều khiển eUFS 512GB sẽ tăng tốc quá trình ánh xạ để chuyển đổi các địa chỉ của khối dữ liệu luận lý thành các khối dữ liệu vật lý.

 

Chuẩn 512GB eUFS của Samsung cũng có tính năng đọc và ghi mạnh mẽ. Với khả năng đọc và ghi liên tục lên tới 860 MB / s và 255 MB / s, bộ nhớ lưu trữ 512GB sẽ giúp tải một đoạn phim Full-HD cỡ 5GB sang ổ SSD trong khoảng 6 giây, nhanh gấp 8 lần so với thẻ microSD điển hình.

 

Đối với các thao tác bất kỳ, chuẩn eUFS mới có thể đọc 42.000 IOPS và ghi 40.000 IOPS. Dựa trên các phần ghi ngẫu nhiên liên tục của eUFS với tốc độ nhanh hơn 400 lần so với tốc độ IOPS của thẻ nhớ microSD thông thường, người dùng có thể tận hưởng những trải nghiệm đa phương tiện mượt mà như chế độ chụp ảnh liên tục với độ phân giải cao, cũng như khả năng tìm kiếm tệp và tải phim ở chế độ xem màn hình đôi.

 

Theo một thông tin liên quan, ngoài việc mở rộng sản xuất V-NAND 256Gb, Samsung dự định sẽ đẩy mạnh sản xuất chip V-NAND 64 lớp 512Gb của mình để đáp ứng nhu cầu đối với giải pháp lưu trữ di động tiên tiến, cũng như các ổ SSD cao cấp và thẻ nhớ tháo lắp được với mật độ và hiệu năng cao.

 

 

*Lưu ý của biên tập viên: Con số này phản ánh các kiểm tra nội bộ  trong đó khả năng lưu trữ trung bình thực tế xấp xỉ 93% dung lượng ghi trên nhãn, và hệ điều hành di động tải trước đã chiếm khoảng 13GB dung lượng trên một điện thoại thông minh hàng đầu.

http://bit.ly/2BIxISP

Nếu có thắc mắc liên quan đến dịch vụ khách hàng, xin truy cập http://www.samsung.com/vn/info/contactus để được trợ giúp.
Nếu có các câu hỏi liên quan đến báo chí, xin liên hệ qua địa chỉ vn.contact@samsung.com.

Danh mục

Trang đầu