Samsung hoàn tất phát triển giải pháp RF 8nm tăng cường các giải pháp chip truyền thông 5G

Kiến trúc chip RF 8nm mới cung cấp hiệu suất năng lượng tăng lên đến 35% và giảm 35% diện tích logic so với chip RF 14nm

Samsung Electronics, công ty hàng đầu thế giới về công nghệ bán dẫn tiên tiến, hôm nay giới thiệu đến công chúng công nghệ tần số vô tuyến (RF) mới nhất dựa trên quy trình 8 nanomet (nm).

Công nghệ đúc tiên tiến này dự kiến sẽ cung cấp giải pháp ‘một chip’ – giải pháp đặc biệt cho truyền thông 5G với sự hỗ trợ cho các thiết kế chip đa kênh và đa ăng-ten. Việc mở rộng nền tảng RF 8nm của Samsung dự kiến sẽ củng cố thêm vị trí dẫn đầu của công ty trong thị trường bán dẫn 5G từ các ứng dụng sóng dưới 6GHz đến các sóng mmWave.

Công nghệ quy trình RF 8nm của Samsung là sự bổ sung mới nhất dành cho danh mục lớn các giải pháp liên quan đến công nghệ RF, bao gồm cả công nghệ RF 28nm và 14nm. Công ty đã thiết lập vị trí dẫn đầu thị trường RF thông qua việc xuất xưởng hơn 500 triệu chip RF di động cho điện thoại thông minh cao cấp kể từ năm 2017.

“Sự xuất sắc trong đổi mới và sản xuất theo quy trình đã giúp chúng tôi củng cố các dịch vụ truyền thông không dây thế hệ tiếp theo của mình,” Hyung Jin Lee, Thạc sĩ Nhóm Phát triển Công nghệ Sáng lập tại Samsung Electronics cho biết. “Khi mạng 5G mmWave mở rộng phát triển thì công nghệ RF 8nm của Samsung sẽ là giải pháp tuyệt vời cho những khách hàng đang tìm kiếm những thiết bị với thời lượng pin sử dụng dài với chất lượng tín hiệu tuyệt vời trên các thiết bị di động nhỏ gọn”.

Kiến trúc RFeFET ™ mới của Samsung

Với việc tiếp tục cải tiến sâu rộng đến các nút nâng cao, các mạch kỹ thuật số đã được cải thiện đáng kể về hiệu suất, mức tiêu thụ điện năng và diện tích (PPA), trong khi các khối analog / RF không được cải thiện như vậy do ký sinh trùng thoái hóa như tăng điện trở do chiều rộng hẹp. Kết quả là, các đặc tính của công nghệ RF như hiệu suất khuếch đại của tần số tiếp nhận bị suy giảm và mức tiêu thụ điện năng tăng lên ở hầu hết các chip truyền thông.

Để vượt qua những thách thức về tỷ lệ analog/ RF, Samsung đã phát triển một kiến trúc độc đáo dành riêng cho RF 8nm có tên là RFextremeFET (RFeFET ™) , nâng cao đáng kể các đặc tính của RF khi sử dụng và giúp tiêu tốn ít năng lượng hơn. So với RF 14nm, Samsung’s RFeFET ™ tăng kích thước PPA kỹ thuật số và đồng thời khôi phục tỷ lệ analog/RF, do đó cho phép các nền tảng 5G đạt được hiệu suất cao.

Quy trình tối ưu hóa của Samsung sử dụng tối ưu tính di động của kênh đồng thời giảm thiểu ký sinh trùng. Khi hiệu suất của RFeFET ™ được cải thiện đáng kể, tổng số bóng bán dẫn của chip RF và diện tích của khối analog/ RF sẽ được giảm xuống.

So với RF 14nm, công nghệ quy trình RF 8nm của Samsung cung cấp hiệu suất năng lượng tăng lên 35%, trong khi đó, diện tích chip RF giảm 35% nhờ vào cải tiến về kiến trúc trong mô hình RFeFET ™.