Samsung hoàn thành tiêu chuẩn công nghệ xử lý 10 na-nô-mét thế hệ 2

Samsung Electronics, nhà tiên phong về công nghệ bán dẫn tiên tiến, đã công bố công nghệ xử lý FinFET 10 na-nô-mét (10 nm) thế hệ 2, 10LPP (Năng lượng thấp +), đã đạt được chứng nhận chất lượng và sẵn sàng cho việc sản xuất. Với việc tăng cường trong cấu trúc FinFET 3D, 10LPP cho phép nâng cao 10% hiệu năng hoặc tiêu thụ điện năng thấp hơn 15% so với quy trình 10LPE (Năng lượng thấp đầu tiên) thế hệ đầu tiên trong cùng một phạm vi.

Samsung là công ty đầu tiên trong ngành công nghiệp này bắt đầu sản xuất hàng loạt các sản phẩm hệ thống trên các vi mạch (SoCs) trên 10LPE vào tháng 10 năm ngoái. Mẫu điện thoại thông minh mới nhất, Samsung Galaxy S8 cũng được cài đặt hệ thống trên các vi mạch này.

Để đáp ứng nhu cầu dài hạn của quy trình 10nm cho nhiều nguồn khách hàng, Samsung đã bắt đầu lắp đặt thiết bị sản xuất tại tuyến S3 mới nhất ở Hwaseong, Hàn Quốc. Tuyến S3 được dự kiến sẽ sẵn sàng đi vào sản xuất vào quý IV năm nay.

“Với kinh nghiệm sản xuất 10LPE của chúng tôi, chúng tôi đã bắt đầu sản xuất 10LPP để duy trì vị thế tiên phong của chúng tôi trong ngành công nghiệp đúc điện áp cao cấp”, ông Ryan Lee, Phó Chủ tịch Marketing ngành đúc của Samsung Electronics cho biết. “10LPP sẽ là một trong những quy trình chính của chúng tôi cho hiệu suất di động cao, máy tính và các ứng dụng mạng, và Samsung sẽ tiếp tục cung cấp công nghệ xử lý logic tiên tiến nhất.”