Samsung xuất xưởng HBM4 thương mại đầu tiên trong ngành với hiệu suất vượt trội cho Điện Toán AI

HBM4 bắt đầu được sản xuất hàng loạt với tốc độ truyền dữ liệu ổn định 11,7Gbps, có thể đạt tới 13Gbps

DRAM tiên tiến với đế logic tiến trình 4nm tối đa hóa hiệu năng, độ tin cậy và hiệu quả năng lượng cho các trung tâm dữ liệu thế hệ mới

Công nghệ quy trình bảo mật cùng năng lực cung ứng củng cố lộ trình phát triển HBM của Samsung vượt ra ngoài HBM4

Samsung Electronics – tập đoàn dẫn đầu toàn cầu về công nghệ bộ nhớ tiên tiến, hôm nay thông báo đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 và xuất xưởng các sản phẩm thương mại đầu tiên đến khách hàng. Thành tựu này đánh dấu lần đầu tiên trong ngành – Samsung giành vị thế dẫn đầu sớm trong thị trường HBM4.

Bằng cách chủ động tận dụng quy trình DRAM thế hệ thứ 6 tiên tiến nhất thuộc lớp 10 nanomet (nm) – 1c, Samsung đã đạt được tỷ lệ sản xuất ổn định và hiệu năng hàng đầu ngành ngay từ giai đoạn đầu sản xuất hàng loạt, tất cả được thực hiện liền mạch mà không cần bất kỳ thiết kế lại bổ sung nào.

Ông Sang Joon Hwang, Phó Chủ tịch Điều hành kiêm Giám đốc Bộ phận Phát triển Bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết: “Thay vì đi theo con đường truyền thống là tận dụng các thiết kế đã được kiểm chứng, Samsung đã mạnh dạn áp dụng những tiến trình tiên tiến nhất như DRAM 1c và quy trình logic 4nm cho HBM4. Bằng cách tận dụng năng lực cạnh tranh về quy trình và tối ưu thiết kế, chúng tôi có thể tạo ra dư địa hiệu năng đáng kể, giúp đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của khách hàng về hiệu suất cao hơn đúng vào thời điểm họ cần.”

Thiết lập chuẩn mới cho hiệu suất và hiệu quả tối đa

HBM4 của Samsung mang lại tốc độ xử lý ổn định 11,7 gigabit/giây (Gbps), cao hơn khoảng 46% so với tiêu chuẩn ngành 8Gbps, qua đó thiết lập một chuẩn mực mới cho hiệu năng HBM4. Con số này cũng cao hơn 1,22 lần so với tốc độ pin tối đa 9,6Gbps của thế hệ trước HBM3E. Hiệu năng của HBM4 thậm chí có thể tăng lên tới 13Gbps, giúp giảm thiểu hiệu quả các nút thắt dữ liệu khi các mô hình AI ngày càng mở rộng quy mô.

Ngoài ra, băng thông bộ nhớ tổng trên mỗi stack cũng được nâng lên tối đa 3,3 terabyte/giây (TB/s), tăng 2,7 lần so với HBM3E.

Nhờ công nghệ xếp chồng 12 lớp, Samsung cung cấp HBM4 với dung lượng từ 24 gigabyte (GB) đến 36GB. Công ty cũng sẽ tiếp tục mở rộng các tùy chọn dung lượng theo lộ trình của khách hàng bằng cách sử dụng công nghệ xếp chồng 16 lớp, cho phép tăng dung lượng lên đến 48GB.

Để giải quyết thách thức về tiêu thụ điện năng và nhiệt lượng khi số lượng I/O dữ liệu tăng gấp đôi từ 1.024 lên 2.048 chân, Samsung đã tích hợp các giải pháp thiết kế tiết kiệm năng lượng tiên tiến vào die lõi. HBM4 cũng đạt được cải thiện 40% về hiệu quả năng lượng nhờ công nghệ low-voltage through silicon via (TSV) và tối ưu hóa mạng phân phối điện (PDN), đồng thời tăng 10% khả năng chịu nhiệt và 30% khả năng tản nhiệt so với HBM3E.

Nhờ mang lại hiệu năng vượt trội, hiệu quả năng lượng cao và độ tin cậy mạnh mẽ cho các trung tâm dữ liệu tương lai, HBM4 của Samsung giúp khách hàng tối đa hóa thông lượng GPU và quản lý hiệu quả tổng chi phí sở hữu (TCO).

Năng lực sản xuất toàn diện và linh hoạt

Samsung cam kết tiếp tục thúc đẩy lộ trình phát triển HBM thông qua hệ thống sản xuất toàn diện, bao gồm một trong những năng lực sản xuất DRAM lớn nhất thế giới cùng các cơ sở hạ tầng chuyên dụng trong ngành, đảm bảo chuỗi cung ứng bền vững để đáp ứng nhu cầu HBM4 dự kiến tăng mạnh.

Sự tối ưu đồng bộ giữa thiết kế và công nghệ (Design Technology Co-Optimization – DTCO) giữa mảng Foundry và Memory của Samsung giúp công ty đạt được tiêu chuẩn cao nhất về chất lượng và tỷ lệ sản xuất thành phẩm. Đồng thời, năng lực nội bộ sâu rộng về đóng gói tiên tiến giúp tối ưu chu kỳ sản xuất và rút ngắn thời gian giao hàng.

Samsung cũng có kế hoạch mở rộng phạm vi hợp tác kỹ thuật với các đối tác chủ chốt, dựa trên những trao đổi chặt chẽ với các nhà sản xuất GPU toàn cầu và các hyperscaler đang tập trung phát triển ASIC thế hệ tiếp theo.

Samsung dự kiến doanh số HBM trong năm 2026 sẽ tăng hơn ba lần so với năm 2025, đồng thời chủ động mở rộng công suất sản xuất HBM4. Sau khi HBM4 được đưa ra thị trường thành công, mẫu thử HBM4E dự kiến sẽ bắt đầu được cung cấp trong nửa cuối năm 2026, trong khi các mẫu HBM tùy chỉnh sẽ được gửi đến khách hàng từ năm 2027, tùy theo các thông số kỹ thuật riêng của từng đối tác.