[Video] Chương tiếp nối về lưu trữ dữ liệu kỹ thuật số: Công nghệ V-NAND SSD

https://youtu.be/2w-ARo4wvxM

Samsung Electronics đã viết lại các cuốn sách về lưu trữ dữ liệu kỹ thuật số với sự ra đời của chương tiếp theo: công nghệ V-NAND. Như đã nêu trong đoạn video trên, mô hình mới mang tính cách mạng này với bộ nhớ bán dẫn tăng gấp đôi tốc độ xử lý và làm giảm một nửa mức tiêu thụ năng lượng trong các ổ đĩa thể rắn (SSD) – hiện đang được sử dụng trong một loạt các ứng dụng, từ máy tính cá nhân đến các máy chủ doanh nghiệp.

Trước khi giới thiệu công nghệ V-NAND, bộ nhớ SSD có truyền thống được tăng lên bằng cách thêm vào nhiều pin nhỏ vào giới hạn mặt phẳng 2D. Bởi vì phương pháp mới việc đặt các pin nhỏ quá chặt chẽ ở cuối nhằm tạo ra độ tin cậy thay vì ngăn chúng thành ba chiều. Để minh họa, hãy tưởng tượng một tòa nhà, nơi thay vì xây thật nhiều phòng vào không gian cố định của một tầng lầu, bạn tăng dung lượng bằng cách xây dựng cấp độ mới. Việc xây dựng này làm giảm bớt các vấn đề liên quan đến thu hẹp NAND công nghệ in thạch bản và giúp các doanh nghiệp áp dụng ổ SSD với tỷ lệ đáp ứng nhanh hơn và dung lượng lớn hơn.

Với sự đổi mới ở các lớp của thiết bị, Samsung đã bổ sung thêm chiều sâu mới cho công nghệ bộ nhớ bán dẫn. Điều này sẽ không chỉ thúc đẩy sự phát triển của điện toán đám mây, phân tích thời gian thực và các mạng dữ liệu lớn, nhưng cũng thúc đẩy kỷ nguyên của IoT, trong đó một lượng lớn dữ liệu sẽ cần phải được xử lý và chuyển giao nhanh hơn bao giờ hết.