삼성전자, 세계 최초 0.6㎜ 8단 적층칩 개발

삼성전자가 세계 최초로 0.6mm 두께의 8단 적층칩 기술을 개발했다고 4일 밝혔다.

이 적층칩은 750㎛ 두께인 12인치 웨이퍼 뒷면을 ’15㎛’ 두께로 갈아 내고, 위로 쌓아 올린 것이다. 기존에는 칩의 웨이퍼 두께를 60㎛ 두께로 가공해 1mm로 쌓아 올렸었다.

지금까지 칩의 웨이퍼 두께를 30㎛ 이하로 가공하면 강도가 떨어지고, 칩의 간격이 너무 좁아 안정적인 수율을 확보하기가 어려웠었다.

이번에 개발한 기술을 적용해 1mm두께의 낸드플래시 적층칩을 구현하면 모바일 기기나 메모리 카드 등에 두 배 이상 대용량 제품을 만들 수 있게 된다.

이로써 삼성전자는 현재 50% 이상의 세계점유율을 확보하고 있는 모바일 메모리 복합칩 제품 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 수 있게 됐다고 밝혔다. 

삼성전자 Test & Package센터 정태경 상무는 "0.6㎜ 8단 적층칩은 현재 대용량 적층칩 시장의 주력 제품 대비 두께는 물론 무게까지 절반 정도로 줄였다"며 "업계의 한계로 여겨져 온 1.0㎜ 이하의 적층칩 솔루션을 제공하게 됐다"라고 말했다.

한편, 반도체 시장 조사기관 아이서플라이에 따르면 세계 메모리 카드 시장은 2GB 용량 이상의 제품 수량이 2009년 3.1억 개에서 2012년 7.7억 개 규모로 크게 성장할 것으로 예상된다.

그 중 16GB 이상 용량의 제품은 2009년 1,900만 개에서 2012년 2.1억 개로 확대될 것으로 전망된다.

* 적층칩 : 메모리 칩을 일렬로 쌓아 올려 하나의 칩으로 적층한 다중칩