삼성전자, 속도와 저장용량 3배 높인 낸드플래시 양산

삼성전자가 업계 최초로 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시와 32Gb 3비트(bit) 낸드플래시 양산에 들어갔다고 1일 밝혔다.

고속 낸드플래시는 D램의 고속 데이터 전송 방식인 DDR(Double Data Rate) 인터페이스를 적용한 제품이다. 이로써 소비 전력량은 기존 제품과 같으면서도 읽기 속도를 약 3배 이상 빠르게 구현했다.

삼성전자는 이 제품을 프리미엄급 메모리카드 뿐 아니라 고성능 SSD 제품에도 적용해 나갈 계획이다.

3비트 낸드플래시는 하나의 셀(Cell)에 3비트 단위의 데이터를 저장할 수 있도록 해 대용량 데이터 저장이 가능한 제품이다. 기존 제품에 비해 약 3배의 대용량 데이터를 저장할 수 있고, 3비트 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재해 안정적인 카드 성능을 확보했다.

삼성전자는 대용량 메모리카드, 휴대폰용 메모리카드 시장에서 기존 MLC 낸드플래시 제품을 3비트 낸드플래시 제품으로 대체해 나갈 예정이다.

삼성전자는 지난 3월 30나노급 32Gb MLC 낸드플래시를 양산한 데 이어 8개월만에 동일 공정, 동일 용량으로 개선된 제품을 양산함으로써, 더욱 차별화된 32Gb 낸드플래시 전 제품군을 확보하게 됐다.

삼성전자 메모리사업부 조수인 부사장은 "올해 9월 삼성 브랜드의 프리미엄급 메모리 카드를 출시했고, 이번에 더 빠른 성능과 고효율의 32Gb 낸드 제품군을 공급함으로써 다양한 고성능 모바일 기기의 출시를 적극 지원하고 최종 소비자에게 더 많은 편의성과 효용가치를 제공할 수 있게 됐다."고 밝혔다.

삼성전자는 앞으로 20나노급의 차세대 제품군에서도 고속 낸드플래시와 3비트 낸드플래시를 선행 개발하겠다는 계획이다.

한편, 반도체 시장 조사기관 가트너(Gartner)에 따르면 전 세계 낸드플래시 메모리 시장은 2009년 138억 달러에서 2012년 236억 달러 규모로 크게 성장할 것으로 전망된다.

※ 고속 낸드플래시(DDR NAND Flash)
데이터 전송 방식을 SDR에서 DDR로 바꿈으로써 기존의 MLC NAND에 비해 읽기 속도가 대폭 향상됐다.

※ 3비트 낸드플래시
전하를 정밀하게 제어해 한 셀에 3비트 (bit)를 저장할 수 있어, 기존의 1비트(bit) 저장제품에 비해 약 3배 정도 높은 대용량 제품을 만들 수 있다.