삼성전자 황창규 사장, 앤디 그로브賞 수상

1. 2006 IEEE 앤디 그로브賞 수상

삼성전자 황창규 社長이 세계 최고의 반도체 기술 名人으로 선정됐다.

황사장은 12일 (미 현지시각) 美 샌프란시스코 힐튼호텔에서 열린 IEEE 산하 2006 IEDM (IEEE International Electronic Devices Meeting) 학회 오찬 행사에서 세계 전기·전자분야 최고권위 단체인 IEEE 이사회가 수여하는 "2006 IEEE 앤디 그로브 賞" 을 수상했다.

"편집광만이 살아 남는다 (Only the Paranoid Survives)"는 책의 著者로도 유명한 앤디 그로브는 인텔의 창업자다.

이 賞은 2000년 이후 IEEE가 세계 반도체 및 관련 분야에서 혁신적인 발전에 기여한 인사에게 수여해 온 반도체 기술분야 세계 최고 권위의 賞으로, IEEE Fellow 에게만 수상 자격이 주어진다. 황사장은 지난 2002년 또 하나의 반도체 메이저 학회인 ISSCC 총회 기조 연설時 IEEE Fellow로 被選된 바 있다.

황사장의 금번 수상은 반도체 전공의 미 스탠포드 大 및 MIT 大 교수, 팻 겔싱어 인텔 CTO 등 반도체 학계 및 업계 저명 인사들의 추천으로 이루어졌는데, 특히, 세계 반도체 1위 기업이자 이 상의 후원사인 인텔이 황사장을 추천했다는 점은 주목할 만 하다.

이제까지 이 賞을 수상한 사람은 총 6명으로, 대부분 著名 學者들이다. 기업인으로는 이 賞 후원사인 인텔 Senior Fellow인 마크 보어(Mark Bohr)가 유일하며, 동양계 기업인으로는 황사장이 最初다. 이 賞이 이제까지는 대체로 학자들에게 주어졌다는 점에서, 이번 受賞을 계기로 황사장은 경영과 기술 두 분야 모두를 아우르는 반도체 업계의 진정한 名人으로 평가받았다.

이번 시상식에는 약 2,000명에 달하는 IEDM 학회 소속 회원을 비롯, 세계 각국 저명 학자, 반도체 업계 관계자 등 총 3,000 여명이 참석했다. 이 자리에서 IEEE CEO 인 클레온 앤더슨 (W.Cleon Anderson, P.E.)은 多數의 혁신적인 메모리 반도체 개발로 세계 반도체 산업 발전에 커다란 足跡을 남긴 황사장에게 이 賞을 수여하게 되어 영광이라고 밝혔다. 

이에 황사장은, "2002년 ISSCC 학회 기조연설에서 선언한 모바일 및 디지털 컨수머, 그리고 퓨전으로 대표되는 반도체의 새로운 패러다임은 이제 큰 흐름이 되었다.

IEDM 기조연설에서도 제시했듯, 모바일과 디지털 컨수머가 주도한 IT 이후는 IT,BT,NT 등 거대 산업間 융복합이 이루어지는 FT (Fusion Technology) 시대로 들어설 것으로 보이는데, 이 시대에도 반도체가 여전히 핵심 역할을 하게 될 전망이다. 오늘 이 賞의 의미를 미래의 「메가 트렌드」에 새롭게 챌린지하라는 채찍으로 이해하고 있다.

앞으로도 세계 반도체 산업 발전을 위해 최선을 다할 것을 이 자리를 빌어 다시 한번 다짐한다." 며 수상 소감을 밝혔다. 황사장은 대학 시절 앤디 그로브의「Physics & Technology of Semiconductor」라는 책에 심취하면서 반도체에 평생을 걸기로 한 것으로 알려져 있다.

황사장의 이번 受賞은, 多數의 차세대 혁신 메모리 제품 개발 성공, 메모리 신성장론 제시 및 7년 연속 입증, 세계 유수 대학 (하버드, 케임브리지, MIT, 스탠포드, UC 버클리, 북경대) 에서의 반도체 미래기술 관련 특강 等 반도체 산업 발전을 위한 다양한 공헌은 물론, 세계 메이저 반도체 학회 (ISSCC, IEDM, VLSI) 에서의 논문 심사 等 왕성한 활동 및 기조 연설 等을 통한 반도체 미래방향 제시에 대한 공로를 인정받은 것으로 평가된다.

황사장은 지난 ’94년 세계 최초 256Mb D램 개발로 ’95년 D램 중흥기의 기반을 마련했으며, ’99년 256메가 낸드 플래시 개발을 시작으로 올해 CTF 혁신 기술을 적용한 40나노 32기가 낸드 플래시 개발에 이르기까지 7년 연속 매년 두배씩 메모리 용량을 증가시켜 온데 기여했으며, 특히 "메모리 신성장론"으로 불리우는 이 이론은 기존 무어의 법칙을 다시 쓰고 있어 업계에 커다란 반향을 일으키고 있다.

더구나, 황사장이 올해 CTF 기술 기반 40나노 32기가 낸드 플래시는 과거 35년간 사용되던 "플로팅 게이트" 방식의 개념을 뒤엎는 혁신적인 "Breakthrough Technology" 로 앞으로 다가올 테라 시대의 해법을 최초로 제시했다.

지난해 황사장은 美 전자업계 최상위기관인 美전자산업협회(EIA: Electronic Industries Alliance) 로부터 세계 전자산업에 기여한 공로를 인정받아 미국인이 아닌 인사로는 최초로『EIA 기술 리더상 (The EIA Leadership in Technology and Innovation Award)』을 수상한 바 있는데,

올해 또 다시 반도체 최고 기술 名人에게 수여되는 "앤디 그로브賞"을 수상, IT 산업 심장부인 미국 본토에서 2년 연속 전자 및 반도체 분야 세계 최고 권위의 賞을 받게 되었다. 이는 황사장 개인의 영광이기도 하겠지만, 한국 과학기술의 位相을 한 차원 높였다는 데 더욱 큰 의의가 있다는 평가다.

2. 제 2의 퓨전 메모리, 원디램 개발 성공

1) 퓨전 메모리 개요 

"모바일"과 함께 IT 시대를 대변하는 대표적인 코드로 "디지털 컨버전스" 가 있는데, 이것이 결국 "퓨전" 기술이다.

휴대폰을 기반으로 한 카메라폰, 캠코더폰, DMB폰 等이 "퓨전"의 원리를 디지털 기기에 적용한 대표적인 事例들이라면, 이 원리를 반도체에 최초로 구현한 것이 바로 "퓨전 메모리" 다.  

"퓨전 메모리" 는 최첨단 메모리에 로직, 소프트웨어까지를 하나의 칩에 구현한 복합 반도체 제품으로, 이를 채택할 경우, 低 코스트로 디지털 기기의 소형화, 경량화, 슬림화, 고기능화 等에 크게 기여할 수 있다.

"퓨전 메모리"는 지난 2002년, 황창규 사장이, IEDM과 함께 세계 최고 권위의 반도체 학회로 꼽히는 ISSCC 총회 기조연설을 통해 세계 최초로 이의 본격 출현을 豫告한 이후 비약적인 발전을 거듭, 이제는 당당히 반도체 산업의 중요한 한 軸으로서의 역할을 담당하고 있다. 
 
삼성전자는 이미 2004년부터 최초의 "퓨전 메모리"인 휴대폰向 "원낸드" 판매에 착수, 올해 5억불 규모의 "퓨전 메모리" 매출을 달성하였으며, "원낸드"의 응용 분야를 각종 디지털 컨수머 기기로 확산시키면서 2008년에는 "원낸드" 로만 1조원의 매출을 기록할 전망이다.

2) 개발 의의

삼성전자가 세계 최초 "퓨전 메모리"인 "원낸드"에 이어 제 2의 "퓨전 메모리" 인 512메가 "원디램" 개발에 성공했다.

최근의 모바일 기기는 고성능 구현을 위해 통신 기능 CPU와 미디어 기능 CPU (카메라, 동영상, 3D Game) 等 두 종류의 CPU를 사용하고 있는 추세에 있어, 데이터 전송 속도의 개선은 더욱 중요해지고 있다. 더구나, 모바일 기기의 메모리 용량 및 내장 칩 數도 증가하고 있어 시스템 업체 입장에서는 원가 부담이 커지고 있는 상황이다.

이 문제의 해결을 위해 삼성전자가 이번에 개발한 원디램은 모바일 D램과 S램 등 데이터 전송을 담당했던 두 종류의 메모리를 하나의 D램으로 대체한 신개념의 "고객 친화적" 퓨전 메모리 제품이다.

이 제품의 대표적인 장점으로는, Dual Port를 채택, 통신 및  기능을 각각 담당하는 두 個의 CPU間 데이터 처리속도를 최대한 단축할 수 있다는 点인데, 이는 두 CPU가 각각 전용으로 사용하던 2개의 D램이 하나로 통합된 결과이기도 하지만, 두 CPU의 데이터를 공유하면서 데이터의 양을 가변적으로 조절 할 수 있는 이 제품만의 독특한 기능 (Shared Bank)이 추가된 결과이기도 하다.

이 제품을 휴대폰에 적용할 경우, 두개의 모바일 디램을 하나의 디램으로 대체(5칩→4칩)하는 효과가 있을 뿐 아니라, 칩셋의 하드웨어를 변경할 경우, 노어 플래시까지도 대체 (5칩→3칩) 가 가능하여 시스템 內 회로를 최대한 단순화, 기기 효율을 극대화하는 효과가 있다.

결국, 원디램의 등장으로,
① 두 종류 CPU 間 효율적인 데이터 전송이 가능해짐으로써 기존 對比 5배의 고속 구동 실현
② 칩 個數 최소화로 시스템 구성원가 절감
③ 회로 면적 50% 감소 / 전력 소비 30% 감소
등 획기적인 성능 개선이 가능하게 되었다.

결론적으로, 세계 최초의 디램 기반 퓨전 메모리인 원디램은 삼성전자가 퓨전 메모리 사업에 더욱 박차를 가하기 위해 개발한 야심작으로, 이제까지의 CPU 보조 역할로서의 메모리 기능에서 탈피, 메모리가 시스템의 핵심 역할로 進步하게 되는 계기가 되었다는 点에서 더욱 주목된다.

[ 512Mb 원디램 개발 경과 ]
– 원천기술 특허 등록 : ’03. 9월 [특허: 총 24건 (미국 20건)]
– 512메가 공정 개발 : ’06. 3월
– 512메가 샘플 확보 : ’06.10월
– 512메가 양산 적용 : ’07년 2분기
– 거래선 공급 개시 : ’07년 3분기

3) 시장 효과

원디램은 휴대폰을 비롯한 모바일 기기, 게임기를 포함, 3차원 그래픽 기능을 채용하는 각종 디지털 기기에 본격 채용될 전망이다.

내년 하반기부터 휴대폰 탑재가 본격화될 것으로 보이며, 1기가 원디램 양산으로 사업이 본궤도에 오르는 ’08년 2억불을 시작으로 ’11년까지 향후 5년간 약 25억불의 신시장을 형성할 것으로 기대된다.