삼성전자, 2010년 사상 최대 26조원 투자 계획

삼성전자는 5월17일 삼성나노시티 화성캠퍼스에서 ’메모리 16라인 기공식’을 가졌다.
기공식에는 이건희 회장과 최지성 사장, 권오현 사장(반도체사업부장), 조수인 사장(메모리담당), 이상훈 사장(사업지원팀장), 윤주화 사장(경영 지원실장)을 비롯해 사장단과 이재용 부사장, 임직원 등 500여명이 참석했다.

기공식과 관련해 이건희 회장은 "지금 세계경제가 불확실하고 경영여건의 변화도 심할 것으로 예상은 되지만, 이러한 시기에 투자를 더 늘리고 인력도 더 많이 뽑아서 글로벌 사업기회를 선점해야 그룹에도 성장의 기회가 오고 우리 경제가 성장하는데도 도움이 될 것이다"라며, 과감한 투자확대를 강조했다.

삼성전자는 반도체 11조원, LCD 5조원 등 시설투자와 R&D 투자 8조원을 포함해 총 26조원 규모의 올해 투자계획을 수립했다.
26조원 규모는 삼성전자의 연간 투자로는 사상 최대이다.

삼성전자가 이처럼 과감한 투자에 나서는 것은 올해 들어 글로벌 IT 경기가 호조를 보이고 있는 상황에서 적극적인 투자로 IT 시장의 주도권을 더욱 강화하기 위한 것이다. 아울러 글로벌 경기의 불확실성에도 불구하고 대규모 투자를 통해 우리 경제의 성장을 뒷받침하겠다는 의지의 표현이기도 하다.

삼성전자는 이번 신규라인 투자 등을 통해 반도체 3,000명, LCD 4,000명 등 총 10,000명 정도를 신규 채용할 예정이다.

[반도체 부문]
삼성전자는 차세대 메모리 제품 생산을 위한 신규라인(16라인) 건설과 30나노 D램 양산을 위한 15라인 CAPA 증설을 위해 메모리 반도체 투자를 당초 계획한 5.5조원에서 9조원대로 확대할 계획이다.

총 48만평 규모의 화성캠퍼스 가운데 현재 가동 중인 31만평을 제외한 17만평 부지에 들어서는 16라인은 2011년부터 본격 가동에 들어가 12인치 웨이퍼로 월 20만매 이상을 생산하게 된다. 삼성전자의 반도체 신규라인 건설은 2005년 15라인 이후 5년 만이다.

한편, 이번에 기공식을 가진 16라인은 완공까지 단계적으로 총 12조원 규모를 투자할 계획이며, 메모리 분야에서 선도적 리더십을 더욱 확고히 하게 된다.

또한 15라인의 CAPA 증설을 통해 올해 말까지 30나노급 D램 생산 비중을 10% 이상으로 확대해 저전력·고성능 D램 공급 확대 요구에 적극적으로 대응해 나갈 계획이다.

한편, 시스템LSI도 45나노 이하 공정을 적용하는 모바일, D-TV 등 SOC 사업과 파운드리 사업 강화를 위해 2조원대 투자를 추진해 고객들의 공급 확대 요구에 대응해 나갈 계획이다.
이로써 삼성전자는 올해 메모리 9조원과 시스템 LSI 2조원 등 반도체 분야에만 11조원을 투자할 계획이다.

[LCD 부문]
삼성전자는 2011년 이후 대형 LCD TV용 패널 수요 증가에 대비, 총 2조5천억원을 투자해 기판 기준 월 7만매 규모의 8세대 LCD 신규라인(8-2 2단계)을 탕정사업장에 건설하기로 했다.

이번 8세대 신규 라인에 대한 추가투자 결정으로 삼성전자는 총 4개의 8세대 라인을 확보하게 되며 올해 투자 규모를 총 5조원으로 확대할 계획이다. 한편, 이건희 회장은 기공식 직전 사원 대표와 임직원 식당에서 점심 식사를 같이 하며 대화를 나누었다.

[삼성모바일디스플레이]
한편, 삼성전자와 함께 삼성모바일디스플레이도 탕정에 소재한 디스플레이 단지에 2012년까지 총 2조5천억원을 들여 세계 최대 규모의 AMOLED (유기발광다이오드) 제조 라인을 건설할 계획이다.

이로써 삼성모바일디스플레이는 5.5세대(1300×1500㎜) AMOLED 기판 기준 월 70,000매 규모의 양산체제를 구축할 계획이다. 이번 5.5세대 라인이 완공되면 AMOLED TV용 패널 생산이 가능해 AMOLED 대형화의 발판을 마련하게 될 전망이다.