세계최초 40나노 D램 개발

삼성전자가 세계 최초로 40나노급 (1나노 : 10억분의 1미터) 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다.

2005년 60나노급 D램 개발에 이어 2006년 50나노급 D램, 올해 40나노급 D램 개발을 잇달아 성공했다. 이로써 전자는 업계 최고 수준의 원가 경쟁력을 확보하게 됐다.

특히, 이번에 개발한 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 지난해 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한 데 이어, 올해 1월 1기가바이트(GB) DDR2 SoDIMM 모듈까지 채용 평가를 완료 했다.

삼성전자는 이번에 개발한 기술을 적용해 올해 2기가급 제품 개발을 완료하고 양산도 개시하겠다고 밝혔다. 2006년 50나노급을 개발한 후 2008년 양산까지 약 2년이 걸렸던 것에 비하면, 공정이 더 미세한 40나노급에서 양산까지의 기간을 1년 이상 단축한다는 것은 현재 시장 상황을 적극적으로 타개해 보겠다는 의지로 볼 수 있다.

40나노급 2기가급 DDR3 D램은 지난해 9월 양산을 시작한 50나노급에 비해 생산성이 약 60% 높고, 1.2V에서 동작이 가능해 저전력과 저전압을 실현한 고휴율 친환경 제품이다.

삼성전자는 이번 제품 개발로 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장에서 입지를 굳혀, 앞으로 DDR4 등 초고속 스피드가 가능한 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 업계 최고의 기술 리더십을 확보한다는 계획이다.

1. D램 시장 전망(단위 : 억개)

(출처 : IDC ’08년 3분기)

2. 용어 해설