삼성전자, 중국 시안 반도체 2기 라인 착공

삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다.

삼성전자는 3월28일 오전 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 후허핑(胡和平) 산시성 성위서기, 먀오웨이(苗圩) 공신부 부장, 류궈중(刘国中) 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석한 가운데‘삼성 중국반도체 메모리 제 2라인 기공식’을 실시했다.

지난 17년 8월 삼성전자는 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성(陕西省) 정부와 MOU를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억 불을 투자하기로 했다.

이로써 삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응 하겠다는 계획이다.

▲ 3월 28일 오전 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 열린 ‘삼성 중국반도체 메모리 제 2라인 기공식’에서 삼성전자 대표이사 김기남 사장이 기념사를 하고 있다.

삼성전자 김기남 사장은 기념사를 통해 “시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께, 차별화된 솔루션을 고객에게 제공하여 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여 하겠다”고 말했다.

특히, 이번 2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT업체들의 생산기지가 집중되어 있는 중국시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화하고, 중국 시장 요구에 보다 원활히 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

산시성 성장 류궈중(刘国中)은 축사를 통해 “삼성 프로젝트 2기 착공을 축하한다”며 “산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것”이라고 밝혔다.

또한 이번 추가 투자로 시안시를 비롯한 산시성 지역 경제 활성화 및 중국 서부지역 산업에도 긍정적 파급효과가 예상된다.

삼성전자 시안 반도체 사업장은 12년 1기 기공식을 시작으로 13년 전자연구소 설립, 14년 1세대 V-NAND 양산 및 15년 後공정 라인 완공, 18년 2기 증설까지 꾸준한 투자를 추진해 나가고 있다.

▲ 삼성전자는 3월 28일 오전 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 ‘삼성 중국반도체 메모리 제 2라인 기공식’을 실시했다.