[카드뉴스] ‘5나노’의 벽을 넘은 삼성전자 파운드리 초미세 공정 기술 리더십

2019/04/16

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삼성전자는 지난해 2월, 화성캠퍼스에 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 라인 건설에 착수하며 차세대 ‘싱글(한 자릿수) 나노미터 반도체 시대’에서의 기술 리더십 확보에 나섰다. 지난해 10월, 7나노 EUV 제품 상용화를 발표한 삼성은, 이달 16일 다시 5나노 EUV 공정 개발 완료를 알리며 초미세 파운드리 공정의 리더십을 이어나가고 있다. 미래 시스템반도체 산업을 이끌어갈 삼성전자 EUV 공정의 성과를 아래 카드 뉴스에서 확인할 수 있다.

5 나노의 벽을 넘은 'EUV 기반' 초미세 파운드리 공정 기술 리더십 EUV 기술로 파운드리 분야 리더십 강화 삼성전자 파운드리, '5나노 EUV' 공정 개발 완료 7나노 제품 출하 5나노 공정 개발 6나노 제품 설계 미세 회로 구현을 위한 새로운 빛, EUV 반도체 노광 공정에 사용되는 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선)는 기존 불화아르곤(ArF)에 비해 파장이 짧아 세밀한 반도체 회로 패턴 구현 가능, 멀티 패터닝 공정 축소로 성능과 수율 향상 ArF Immersion MPT 파장 193mm 4ArFi masks vs EUV SET 파장 13.5mm 1EUV mask *MPT Multi Patterning Technology *SET:Single Exposure Technology 초미세 5나노 EUV 공정의 장점 셀 설계 최적화를 통해 기존 7나노 공정 대비 향상된 전력효율과 성능을 제공 7nm > 5nm (로직 면적 25% 감소↓, 전력효울 20% 향상↑, 성능 10% 향상↑) 5나노 공정 제품도 'SAFE'하게 삼성 파운드리 에코시스템(Samsung Advanced Foundry Ecosystem, SAFE)으로 쉽고 빠른 제품 설계 지원 SAFE, EDA/DFM, SAMSUNG FOUNDRY, Design Solution Partner, IP/Library 5나노까지 확대된 MPW 서비스 1장의 웨이퍼에 여러 종류의 반도체를 생산하는 MPW(Multi Project Wafer)서비스 제공 Wafer > ABCDE Photomask > Chip 6 '시스템 반도체'의 진화를 이끄는 삼성의 기술 리더십 파운드리 업계 최초 HKMG 양산 32/28nm HKMG 파운드리 업계 최초 FinFET 양산 14nm 반도체 업계 최초 10nm 공정 양산 10nm 반도체 업계 최초 EUV 기반 공정 양산 7nm EUV 기반 두번째 공정 개발 완료 5nm '시스템 반도체'의 진화를 이끄는 삼성의 기술 리더십 파운드리 업계 최초 HKMG 양산 32/28nm HKMG 파운드리 업계 최초 FinFET 양산 14nm 반도체 업계 최초 10nm 공정 양산 10nm 반도체 업계 최초 EUV 기반 공정 양산 7nm EUV 기반 두번째 공정 개발 완료 5nm