Samsung Electronics сала бойынша алғашқы HBM4E үлгілерін жеткізуді бастады

Жетілдірілген жад технологиялары саласындағы әлемдік көшбасшы Samsung Electronics компаниясы саланың алғашқы 12-қабатты HBM4E жад үлгілерін ірі әлемдік тұтынушыларға жеткізе бастағанын жариялады, бұл келесі буын HBM нарығындағы көшбасшылығын одан әрі нығайтты.

Биылғы жылы саланың алғашқы жаппай өндірісі мен коммерциялық жеткізілімдерінен кейін, Samsung жасанды интеллект пен гипермасштабты инфрақұрылымның тез дамып келе жатқан есептеу талаптарын қанағаттандыру үшін HBM4E үлгілерін енгізу арқылы HBM жол картасын кеңейтуде.

«HBM4 жаппай өндірісінің сәтті аяқталғанынан кейін, Samsung компаниясы HBM4E іске қосу арқылы өзінің айқын технологиялық артықшылығын тағы да көрсетті», – деді Samsung Electronics компаниясының атқарушы вице-президенті және жад бизнесінің басшысы Сан Джун Хванг (Sang Joon Hwang). «Біздің озық өндірістік мүмкіндіктеріміз бен белсенді инфрақұрылымдық инвестицияларымыздың арқасында біз әлемдік жасанды интеллект жады нарығындағы өсімді жалғастыра береміз».

Samsung-тан HBM4E деректерді өңдеудің барған сайын қарқынды талаптарын қолдау үшін өнімділікті 16 Гбит/с дейін масштабтау мүмкіндігімен контактіге секундына 14 гигабитке (Гбит/с) дейін тұрақты деректер жылдамдығын қамтамасыз етеді. Бұл жадтың өткізу қабілеттілігін бір стекке 3,6 терабайтқа (ТБ/с) дейін жеткізу кезінде HBM4-пен салыстырғанда 20%-дан астам өсуді білдіреді, бұл үлкен тілдік модельдердің (LLM) және келесі буын жасанды интеллект жүйелерінің өңдеу қуатын барынша арттыруға көмектеседі.

Samsung-тың 12 қабатты HBM4E жады 48 гигабайт сыйымдылықта ұсынылады, бұл алдыңғы буынмен салыстырғанда 30%-ға көп. Тұтынушылардың талаптарына сәйкес желіні 32 Гб (8 қабат) және 64 ГБ (16 қабат) конфигурацияларымен кеңейту жоспарлануда.

HBM4E жады Samsung-тың кешенді жартылай өткізгіш мүмкіндіктерін толық пайдалануымен және HBM4 өндірісі кезінде жетілдірілген алдыңғы қатарлы технологияларға сүйенуімен ерекшеленеді. Бұған HBM4E-ге процестің тұрақтылығы мен өндірістің жоғары деңгейіне кепілдік беруге мүмкіндік беретін 6-шы буын 10НМ (1c) класты DRAM және 4НМ негізгі Samsung Foundry логикалық төсемі кіреді.

Samsung компаниясының HBM4E жад және логика архитектурасындағы дизайн мен процестерді оңтайландыру сонымен қатар өнімділікті, энергия тиімділігін және жарамды өнім шығымдылығын арттырады.

Атап айтқанда, төмен қуатты тұтынудың озық технологиялары мен оңтайландырылған орналасу құрылымы энергия тиімділігін 16%-ға арттыруға және жылуға төзімділік көрсеткіштерін алдыңғы буынмен салыстырғанда 14%-дан астам жақсартуға мүмкіндік берді. Бұл жақсартулар жылуды тиімдірек таратуды қамтамасыз етеді, бұл ұзақ мерзімді сенімділікке және қарқынды жұмыс жүктемесі бар келесі буын деректер орталықтарында қуат тұтынуды азайтуға кепілдік береді.

Samsung алғашқы үлгілерді жеткізу және оңтайландыру аяқталғаннан кейін пайдаланушы кестелеріне сәйкес HBM4E жаппай өндірісін бастауды жоспарлап отыр.

Ақпан айында енгізілген Samsung компаниясының HBM4 Жады туралы жаһандық пайдаланушылардың пікірлері, әсіресе оның өнімділігі мен энергия тиімділігіне қатысты өте оң болды. HBM4 жады жаппай өндіріске енген саладағы алғашқы жад болды және 11,7 Гбит/с жылдамдықты корпустағы жүйелік сынақтарда (SiP) көрсете отырып, бүкіл сегмент үшін жолақты сәтті орнатты.

Samsung компаниясының тұрақты HBM4 жеткізілімдері өскен сайын, негізгі Кристалл мен негізгі субстраттың бірдей комбинациясын пайдаланатын ең жаңа HBM4E жады жаңа буын жасанды интеллект жүйелеріндегі инновацияларды одан әрі жеделдету үшін жаппай өндіріске енеді деп күтілуде. Жад өндірісін, жартылай өткізгіштердің келісімшарттық өндірісін, логикалық схемаларды жобалауды және озық орналасуды қамтитын жан-жақты портфолиосымен Samsung қарқынды дамып келе жатқан жасанды интеллект нарығы үшін жартылай өткізгіштердің тұрақты жеткізілімін қамтамасыз етуді жалғастырады.