Samsung индустриядағы алғашқы 36 ГБ HBM3E 12H DRAM операциялық жадыны әзірледі

Жетілдірілген жад технологиясының әлемдік көшбасшысы Samsung Electronics HBM3E 12H әзірлегенін жариялады, бұл саладағы бүгінгі күнге дейін алғашқы 12 стектік жады HBM3E DRAM және ең жоғары сыйымды HBM.

Samsung компаниясының HBM3E 12H секундына 1280 гигабайтқа (ГБ/с) дейінгі рекордтық өткізу қабілеттілігін және саладағы жетекші 36 гигабайтты (ГБ) сыйымдылықты қамтамасыз етеді. 8 стекті HBM3 8H мен салыстырғанда, екі көрсеткіш те 50%-дан астам жақсартылған.

«AI қызмет провайдерлері сыйымдылығы жоғары HBM құрылғыларын талап етуде, және біздің жаңа өнім HBM3E 12H осы қажеттілікті қанағаттандыру үшін жасалған -, дейді Samsung Electronics компаниясының жад өнімдерін жоспарлау жөніндегі атқарушы вице-президенті Йонгчеол Бэ (Yongcheol Bae). – Бұл жаңа шешім жоғары стектік HBM үшін негізгі технологияларды әзірлеуге және AI дәуіріндегі жоғары қуатты HBM нарығында технологиялық көшбасшылықты қамтамасыз етуге ұмтылысымыздың бір бөлігі болып табылады».

HBM3E 12H-де жетілдірілген термиялық қысу өткізбейтін пленка (TC NCF) пайдаланады. Бұл 12 қабатты өнімдердің 8 қабатты өнімдермен бірдей биіктікке ие болуына және заманауи HBM орау талаптарына сәйкес болуына мүмкіндік береді. Бұл технология қосымша артықшылықтар береді деп күтілуде, әсіресе жоғарырақ стектерді пайдаланған кезде. Өйткені өнеркәсіп жұқа қалыптарды қолдану кезінде пайда болатын чиптердің деформациясын азайтуға тырысады. Samsung өзінің NCF материалының қалыңдығын азайтуды жалғастыруда және жеті микрометр (мкм) құрайтын саладағы ең кішкентай чип аралығына қол жеткізді, сонымен қатар қабаттар арасындағы бос орындарды жойды. Бұл әрекеттер HBM3 8H өнімімен салыстырғанда тік тығыздықты 20%-дан астамға арттырды.

Samsung компаниясының озық TC NCF технологиясы да HBM термиялық қасиеттерін жақсартады, бұл чиптер арасында әртүрлі өлшемді бұдырларды қолдануға мүмкіндік береді. Чипті байланыстыру процесі кезінде сигналды жіберу аймақтарында кішірек біркелкі еместіктері қолданылады, ал үлкеніректері – жылуды кетіруді қажет ететін жерлерде. Бұл әдіс өнімділікті арттыруға да көмектеседі.

Жасанды интеллект қосымшалары экспоненциалды түрде өсетіндіктен, HBM3E 12H болашақ көбірек жадты қажет ететін жүйелер үшін оңтайлы шешім болып табылады. Оның жоғары өнімділігі мен сыйымдылығы тұтынушыларға ресурстарды икемді басқаруға және деректер орталықтарын иеленудің жалпы құнын (TCO) азайтуға мүмкіндік береді. Сарапшылардың пікірінше, жасанды интеллект қосымшаларында HBM3 8H-ді қолданған кезде орташа оқу жылдамдығын 34%-ға арттыруға болады деп есептейді, ал ақша алу қызметтерінің пайдаланушылар саны бір мезгілде 11,5 есе өседі .¹

Samsung компаниясы HBM3E 12H-ті серіктестеріне сынақтан өткізу үшін ұсына бастады, жаппай өндіру осы жылдың бірінші жартысына жоспарланған.

¹ Ішкі модельдеу нәтижелеріне негізделген.