Samsung Electronics индустриядағы алғашқы V-NAND 9-шы буынының жаппай өндірісін бастады

Жетілдірілген жад технологиясының әлемдік көшбасшысы Samsung Electronics терабиттік (Тбайт) үш деңгейлі ұяшықтардың (TLC) 9-шы буын тік NAND (V-NAND) сериялық өндірісінің басталғанын жариялады. Осылайша NAND флэш жады нарығындағы көшбасшылығын нығайтты.

«Біз саланың алғашқы V-NAND 9-шы буынын енгізуге қуаныштымыз, ол болашақ қосымшаларды әзірлеуде серпіліс береді. NAND флэш-жад шешімдеріне өсіп келе жатқан сұранысты қанағаттандыру үшін Samsung келесі ұрпақ өнімі үшін ұяшық архитектурасы мен операциялық дизайн шекарасын кеңейтті, – дейді Сунг-Хой Хур (SungHoi Hur), Samsung Electronics компаниясының Flash Product & Technology of the Memory Business жад бөлімінің басшысы. – Біздің соңғы V-NAND көмегімен Samsung жасанды интеллекттің келешек ұрпағы қажеттіліктерін қанағаттандыру үшін өнімділігі жоғары, тығыздығы жоғары қатты күйдегі сақтау құрылғылар (SSD) нарығындағы трендті орнатуды жалғастырады».

Ең кішкентай ұяшық өлшемі мен ең жұқа қалыптың арқасында Samsung 9-шы буын V-NAND бит тығыздығын 8-ші буын V-NAND-мен салыстырғанда шамамен 50%-ға арттырды. Өнім сапасы мен сенімділігін арттыру үшін жаңа инновациялар қолданылды: ұяшықтардың араласуын болдырмау, олардың өмірін ұзарту және жалған арналардағы тесіктерді жою сияқты жад ұяшықтарының аумағын айтарлықтай азайтуға мүмкіндік берді.

Сонымен қатар, Samsung компаниясының «арна саңылауларын ою» озық технологиясы компанияның технологиялық мүмкіндіктері бойынша көшбасшылығын көрсетеді. Бұл технология кристаллизатор қабаттарының төсеуі арқылы электрондар үшін жолдар жасап, өнімділікті арттырады. Өйткені бұл саладағы ұяшық қабаттарының ең көп санын екі қабатты құрылымда бір уақытта бұрғылауға мүмкіндік береді. Ұяшық қабаттарының саны көбейген сайын, оларға ену қабілетінің маңызы арта түседі, бұл күрделірек ою әдістерін қолдануды талап етеді.

V-NAND 9-шы буыны жаңа буынды Toggle 5.1 NAND флэш жады интерфейсімен жабдықталған. Ол секундына 3,2 гигабитке (Гбит/с) дейін 33% жылдамырақ деректерді енгізу/шығару жылдамдығын қолдайды. Жаңа интерфейспен қатар, Samsung компаниясы PCIe 5.0 қолдауын кеңейту арқылы өнімділігі жоғары SSD нарығындағы позициясын нығайтуды жоспарлап отыр.

Алдыңғы буынмен салыстырғанда қуат тұтынуы да аз қуатты дизайнды жақсартудың арқасында 10%-ға жақсарды. Пайдаланушылар үшін қуатты тұтынуды және көміртегі шығарындыларын азайту маңызды болғандықтан, Samsung компаниясының 9-шы буыны V-NAND болашақ қолданбалар үшін оңтайлы шешім болады деп күтілуде.

Samsung осы айда 1TB TLC V-NAND 9-шы буынының жаппай өндірісін бастады, ал биылғы жылдың екінші жартысында төрт деңгейлі ұяшықтары бар модельді (QLC) шығару басталады.